2019年4月8日至2019年4月10日，PSEG课题组开展了由王友年教授、宋远红教授共同组织发起的，刘永新教授，高飞副教授，张钰如副教授参与的射频等离子体放电特性研究进展研讨会，并邀请Tokyo Electron Ltd.的科学技术发展中心的领导 Ryukichi Shimizu 等8人参加此次研讨会。
4月8日下午三点半，在物理学院系楼322教室，Ryukichi Shimizu先是以"Introduction of Tokyo Electron and plasma developments"作为题目为到场的参会人员简单介绍了一下Tokyo Electron Ltd.以及公司在等离子体方面的应用以及发展，并对到场的参会人员提出的问题进行了细致全面的回答，交流。
4月9日下午一点半，在主楼西侧楼的219会议室，先是由参会的Tokyo Electron Ltd.的科学技术发展中心的带头人 Ryukichi Shimizu 先生讲解了此次会议所述报告大致内容——利用容性耦合等离子体源（Capacitively Coupled Plasma Source,CCP）刻蚀，之后由三人代表分别从实验诊断上和数值模拟上讲述了Tokyo Electron Ltd.利用CPP源刻蚀所取得的进展，以及对未来的一些可能畅想。并对参会的王友年教授、宋远红教授等人提出的问题进行细致全面的回答，和参会的人员在CCP的刻蚀方面进行了充分的交流，彼此间收获颇丰。接下来由张钰如副教授从数值模拟上介绍了PSEG课题组在最近几年内利用不同的模型发表的关于CCP和ICP的文章；最后，由PSEG课题组的刘永新教授从实验诊断上介绍了PSEG课题组实验室仪器以及近几年发表的CCP和ICP在实验方面上的文章，并对Tokyo Electron Ltd.参会人员提出的疑问进行了回答。
